RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀

RTS-4四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) ：

測(cè)量范圍

電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)； 
電導(dǎo)率：0.0005～10000s/cm； 
電阻：0.0001～2000Ω；

可測(cè)晶片直徑

 140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
 200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；
 400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源：電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表：量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)  間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)  (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)  0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度  ≤5%

軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。

計(jì)算機(jī)通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5秒

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)高頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射；

RTS-8四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) ：

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：10^-5～10⁵  s/cm；

電阻：10^-5～10⁵  Ω；

可測(cè)晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；

400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)針：

間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

測(cè)試模式：可連接電腦測(cè)試也可不連接電腦測(cè)試

軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。

計(jì)算機(jī)通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5  秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。

RTS-9四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) ：

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：10^-5～10⁵  s/cm；

電阻：10^-5～10⁵  Ω；

可測(cè)晶片厚度≤3mm

可測(cè)晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源電 流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表  量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)  間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)  (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±4%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度  ≤4%

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)采用雙電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)RTS-9雙電測(cè)測(cè)試軟件控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的電壓值，然后根據(jù)雙電測(cè)測(cè)試原理公式計(jì)算出電阻值。儀器主機(jī)也可兼容RTS-8四探針測(cè)試軟件實(shí)現(xiàn)單電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，兩套軟件可同時(shí)使用。

軟件功能軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。

計(jì)算機(jī)通訊接口并口，高速并行采集數(shù)據(jù)。